Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGE200NB60S

32 предложений от 20 поставщиков
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermeshTM

Информация по: STGE200NB60S

  • Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics Даташит IGBT, SOT-227
    Наименование модели: STGE200NB60S Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SOT-227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGE200NB60S N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESHTM IGBT General features TYPE VCES VCE(sat) (typ.) 1.2V 1.3V IC 150A 200A TC 100°C 25°C STGE200NB60S 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT Module DC Collector Current: 200 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 В Power Dissipation Max: 600 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники