 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: STGE50NC60VD
 Купить STGE50NC60VD на РадиоЛоцман.Цены — от 930 до 63 513 ₽13 предложений от 12 поставщиков STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD IGBT Single Transistor, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins |
Информация по: STGE50NC60VD
- Datasheet STGE50NC60VD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 50 А ISOTOPНаименование модели: STGE50NC60VD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, N 600 В 50 А ISOTOP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGE50NC60VD 50 A - 600 V very fast IGBT Features High current capability High frequency operation Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode Applications Спецификации: Тип транзистора: IGBT Module DC Collector Current: 90 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation ...
- Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronicsП. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
