Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGF10NC60HD

14 предложений от 14 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 24000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Информация по: STGF10NC60HD

  • Datasheet STGF10NC60HD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP
    Наименование модели: STGF10NC60HD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB10NC60HD - STGF10NC60HD STGP10NC60HD N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESHTM IGBT Features Type STGB10NC60HD STGP10NC60HD STGF10NC60HD VCES 600V 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 9 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 24 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
  • Datasheet STGB10NC60HDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK
    Наименование модели: STGB10NC60HDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, N 600 В 10 А DВІPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB10NC60HD - STGD10NC60HD STGF10NC60HD - STGP10NC60HD 600 V - 10 A - very fast IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode 3 1 Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 20 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники