Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGF10NC60KD

46 предложений от 20 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT

Информация по: STGF10NC60KD

  • Datasheet STGF10NC60KD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP
    Наименование модели: STGF10NC60KD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB 3 Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 9 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 25 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: TO-220FP ...
  • Datasheet STGP10NC60KD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220
    Наименование модели: STGP10NC60KD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB10NC60KD STGF10NC60KD - STGP10NC60KD N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESHTM IGBT General features Type STGB10NC60KD STGP10NC60KD STGF10NC60KD VCES 600V 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 20 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 60 Вт Collector Emitter ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники