Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: STGF7NB60SL

37 предложений от 19 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

Информация по: STGF7NB60SL

  • Datasheet STGF7NB60SL - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP
    Наименование модели: STGF7NB60SL Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESHTM IGBT Table 1: General Features TYPE STGF7NB60SL s s s s s Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 15 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В Power Dissipation Max: 25 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники