Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGP14NC60KD

44 предложений от 22 поставщиков
БТИЗ транзистор, 25 А, 2.5 В, 80 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Информация по: STGP14NC60KD

  • Datasheet STGP14NC60KD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220
    Наименование модели: STGP14NC60KD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB14NC60KD STGF14NC60KD - STGP14NC60KD N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESHTM IGBT General features Type STGB14NC60KD STGF14NC60KD STGP14NC60KD VCES 600V 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 25 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 80 Вт Collector Emitter ...
  • Datasheet STGF14NC60KD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP
    Наименование модели: STGF14NC60KD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB14NC60KD STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT Features TAB 2 Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 11 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 28 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники