Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGP19NC60WD

13 предложений от 12 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Информация по: STGP19NC60WD

  • Datasheet STGP19NC60WD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 19 А TO-220
    Наименование модели: STGP19NC60WD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, N 600 В 19 А TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW19NC60WD STGP19NC60WD N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESHTM IGBT Features Type STGP19NC60WD STGW19NC60WD VCES 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 125 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature ...
  • Datasheet STGW19NC60WD - STMicroelectronics Даташит IGBT, N 600 В 19 А TO-247
    Наименование модели: STGW19NC60WD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, N 600 В 19 А TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW19NC60WD STGP19NC60WD N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESHTM IGBT Features Type STGP19NC60WD STGW19NC60WD VCES 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 42 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 125 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники