 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: STGW35NB60SD
 Купить STGW35NB60SD на РадиоЛоцман.Цены — от 222 до 2 507 ₽15 предложений от 13 поставщиков STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins |
Информация по: STGW35NB60SD
- Datasheet STGW35NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-247Наименование модели: STGW35NB60SD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW35NB60SD N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESHTM IGBT General features Type STGW35NB60SD VCES 600V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 70 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В Power Dissipation Max: 200 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: TO-247 ...
- Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronicsП. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
Новое в электронике
- Шумы импульсных регуляторов различных топологий
- Перспективные новинки корпусов Altinkaya (Турция)
- Еще шесть микросхем Микрона первого уровня внесены в реестр российской продукции
- Разработанные АО «РиМ» и НГТУ НЭТИ компактные цифровые датчики тока и напряжения запустили в серийное производство
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
