N-канальный 650 В, 0,024 Ом тип., 84 А MDmesh M5 Power MOSFET в корпусе TO-247 Эти устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh V, основанные на инновационной фирменной вертикальной технологической технологии, которая сочетается с хорошо известной горизонтальной структурой PowerMESH от STMicroelectronics. Полученный продукт имеет чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии, не имеющее себе равных среди силовых МОП-транзисторов на основе кремния, что делает ...
N-канальный 650 В, 0,024 Ом тип., 84 А MDmesh M5 Power MOSFET в корпусе TO247-4 Это устройство представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор на основе инновационной вертикальной технологической технологии MDmesh M5 в сочетании с хорошо известной горизонтальной компоновкой PowerMESH. Полученный продукт обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих высокой мощности и превосходной эффективности. Функции: ...
Журнал РАДИОЛОЦМАН, ноябрь 2019 В [1] каскодное соединение двух MOSFET помогло устранить эффект Миллера и значительно улучшить характеристики корректора коэффициента мощности (ККМ). Напомним, что эффект Миллера это очень большое увеличение кажущейся входной емкости транзистора, обусловленное отрицательной обратной связью с выхода транзистора на вход, когда транзистор используется в составе усилителя с высоким коэффициентом усиления. Усилитель с единичным усилением не имеет эффекта Миллера, ...