Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STW9N150

47 предложений от 24 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 1500Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 8Емкость, пФ: 3255Заряд затвора, нКл: 89.3Описание: N-Channel 1500 V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3Диапазон рабочих температур: -55…+150 °СМаксимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 30 ВМощность:...

Информация по: STW9N150

  • Datasheet STW9N150 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 1500 В, 8 А, TO 247
    Наименование модели: STW9N150 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 1500 В, 8 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESHTM Power MOSFET Features Type STW9N150 VDSS 1500 V Спецификации: Continuous Drain Current Id: 8 А Drain Source Voltage Vds: 1.5 кВ On Resistance Rds(on): 1.8 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В Количество выводов: 3 Корпус ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники