Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: TIBPAL16R4-30MJ

31 предложений от 25 поставщиков
, High Performance Impact PAL Circuits 20Pin PLCC

Информация по: TIBPAL16R4-30MJ

  • Datasheet IRF460 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-3
    Наименование модели: IRF460 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD -90467 REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number IRF460 BVDSS 500V RDS(on) 0.27 ID 21 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 21 А Drain Source Voltage Vds: 500 В On Resistance Rds(on): 270 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs ...
  • Datasheet IXFH12N100Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247
    Наименование модели: IXFH12N100Q Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt VDSS IXFH/IXFT12N100Q IXFH/IXFT10N100Q ID25 RDS(on) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 12 А Drain Source Voltage Vds: 1 кВ On State Resistance: 1.05 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий ...
  • Datasheet IXFH15N80 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247
    Наименование модели: IXFH15N80 Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family VDSS IXFH14N80 IXFH15N80 ID25 RDS(on) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 15 А Drain Source Voltage Vds: 800 В On State Resistance: 600 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники