Устройства на 40 и 60 В с технологией U-MOS-IX-H в корпусе DPAK обладают исключительно низким R DS(ON) до 3.1 мОм. Компания Toshiba Electronics Europe представила новые мощные МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе собственного технологического процесса формирования канавки полупроводниковых устройств последнего поколения (U-MOS-IX-H). МОП-транзисторы TK3R1P04PL , TK4R4P06PL и TK6R7P06PL с каналом n-типа могут управляться сигналами логического уровня 4.5 В и обладают сверхнизким сопротивлением ...