Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: TN0106N3-G

39 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 350 мА, 1.6 Ом, TO-92, Through Hole

Информация по: TN0106N3-G

  • Datasheet Microchip TN0106N3-G
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
  • Datasheet Microchip TN0106N3-G-P003
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
  • Datasheet Microchip TN0106N3-G-P013
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники