В этом низкопороговом транзисторе с улучшенным режимом (нормально выключенном состоянии) используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
В этом низкопороговом транзисторе с улучшенным режимом (нормально выключенном состоянии) используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.