Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: VP0106N3-P002

37 предложений от 24 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, 60 В, 250 мА, 6 Ом, TO-92, Through Hole

Информация по: VP0106N3-P002

  • Datasheet Microchip BM70BLES1FC2-P002AA
    Модуль Bluetooth с низким энергопотреблением
  • Datasheet Microchip LND150N3-G-P002
    N-канальный режим истощения DMOS FET
  • Datasheet Microchip TN0110N3-G-P002
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники