Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: VP3-0055-R

Информация по: VP3-0055-R

  • Datasheet PSMN6R0-30YLB - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 71 А, LFPAK
    Наименование модели: PSMN6R0-30YLB Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 71 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN6R0-30YLB N-channel 30 V 6.5 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 -- 24 October 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 71 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0055 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
  • GWM160-0055P3
    Datasheet IXYS GWM160-0055P3 Модули MOSFET IXYS Corporation
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники