Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: VP5-0067-R

Информация по: VP5-0067-R

  • Datasheet PSMN8R0-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK
    Наименование модели: PSMN8R0-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN8R0-30YLC N-channel 30 V 7.9 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 -- 1 September 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 54 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0067 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
  • Схема источника бесперебойного питания
    Andy Collinson Описание Это схема простого источника бесперебойного питания. Она выдает стабилизированное напряжение 5 В и нестабилизированное 12 В. При отключении электроэнергии источником питания становится аккумулятор, и этот переход происходит плавно, без скачков выходных напряжений. Кликните для увеличения Замечания Эту схему можно адаптировать и для других значений стабилизированного и нестабилизированного выходных напряжений, применяя различные стабилизаторы и аккумуляторы. Например, ...
  • Мощные нитрид-галиевые (GaN) транзисторы - конец эры кремния?
    Что нужно от ключа? Чтобы он имел минимальное сопротивление, был максимально быстрым, с небольшой емкостью, ну и размер поменьше. Много вы видели таких транзисторов? Возможно, eGaN®FET окажутся именно такими. Сравните характеристики кремниевых и GaN транзисторов: В чем преимущества eGaN® технологии Новые возможности для разработок: Более высокие частоты переключения дают меньшие потери. Меньшее сопротивление перехода увеличивает эффективность конструкции. Маленький размер увеличивает ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники