Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: VS-40MT120UHTAPBF

7 предложений от 7 поставщиков
Транзистор IGBT, VISHAY VS-40MT120UHTAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 80A, 5.35V, 463W, 1.2kV, MTP

Информация по: VS-40MT120UHTAPBF

  • Datasheet VS-40MT120UHTAPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP
    Наименование модели: VS-40MT120UHTAPBF Производитель: Vishay Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Collector Emitter Voltage Vces: 5.35 В DC Collector Current: 80 А Количество выводов: 12 Корпус транзистора: MTP Полярность транзистора: NPN Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 463 Вт RoHS: да ...
  • Datasheet VS-40MT120UHAPBF - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP
    Наименование модели: VS-40MT120UHAPBF Производитель: Vishay Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 80 А, MTP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 40MT120UHAPbF, 40MT120UHTAPbF Vishay High Power Products Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A FEATURES · Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology · Positive VCE(on) temperature coefficient · 10 s short circuit capability · Square RBSOA · HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF · Al2O3 DBC · Optional ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники