Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: VS-GB50YF120N

9 предложений от 9 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp

Информация по: VS-GB50YF120N

  • Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK
    Наименование модели: VS-GB50YF120N Производитель: Vishay Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Collector Emitter Voltage Vces: 4.15 В DC Collector Current: 66 А Количество выводов: 35 Полярность транзистора: NPN Рассеиваемая мощность: 330 Вт RoHS: да

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники