Поиск datasheet электронных компонентов |
en |
Источники опорного напряжения (ИОН, voltage references) являются неотъемлемой частью современных электронных устройств. Они предоставляют стабильное и точное напряжение, независимо от изменений температуры, нагрузки или притока питающего напряжения.
Основная задача источника опорного напряжения – обеспечить максимально стабильное выходное напряжение при любых внешних условиях. Для достижения этого используются различные схемотехнические подходы:
Да, источник опорного напряжения (ИОН) может совмещать характеристики двух типов, таких как серийный и последовательный (или шунтовый). Это связано с тем, что микросхемы ИОН часто проектируются для универсальности и могут быть использованы в разных конфигурациях, в зависимости от схемы подключения. Рассмотрим подробнее:
Некоторые микросхемы (например, семейства LM4040 или TL431) могут функционировать как шунтовый источник в одной конфигурации и как серийный источник в другой:
Комбинация серийного и шунтового типов возможна, если микросхема:
Такие универсальные микросхемы создаются для упрощения проектирования схем и уменьшения потребности в разных компонентах. Поэтому источники опорного напряжения могут принадлежать сразу к нескольким типам, и выбор конфигурации зависит от специфики приложения.
Buried Zener — это тип источника опорного напряжения, использующий заглубленный стабилитрон (buried zener diode) для создания высокостабильного и точного напряжения. Этот подход широко применяется в интегральных схемах благодаря высокой устойчивости к шумам и изменениям температуры.
Заглубленный стабилитрон:
В основе схемы лежит стабилитрон, но он находится в специальной заглубленной области полупроводникового слоя, чтобы минимизировать влияние шумов и поверхностных эффектов.
Температурная компенсация:
Чтобы устранить температурную зависимость стабилитрона, добавляются дополнительные элементы, такие как полупроводниковые транзисторы или терморезисторы. Это компенсирует изменение напряжения пробоя с изменением температуры.
Усиление:
Схема дополнительно включает усилитель или буфер для увеличения тока на выходе без потери стабильности напряжения.
Высокая точность:
Напряжение опоры обычно стабильно с точностью до 0,01% или лучше.
Температурная стабильность:
Использование закопанного стабилитрона уменьшает температурные коэффициенты до 15 ppm/°C или ниже.
Устойчивость к шумам:
Закопанная структура делает схему менее восприимчивой к электромагнитным помехам и шумам, связанным с утечками на поверхности полупроводников.
Долговечность:
Такие схемы менее подвержены деградации из-за старения компонентов.
Сложность производства:
Закопанный стабилитрон требует сложных технологических процессов на этапе изготовления кристалла, что повышает стоимость.
Ограниченная область применения:
Используется преимущественно в устройствах, где требуются высокая точность и стабильность (измерительные приборы, высокоточные преобразователи).
Технология Buried Zener — выбор для приложений, где требуются высочайшие показатели точности и стабильности, несмотря на высокую стоимость. Это делает его незаменимым в таких областях, как метрология, научные исследования и контроль промышленных процессов.
Источники опорного напряжения – это ключевые элементы в любой современной электронике. Они определяют точность и стабильность работы многих устройств, от простых стабилизаторов до сложных измерительных систем. Выбор правильного источника зависит от требований к точности, температурной стабильности и условий эксплуатации. С развитием технологий появляются все более сложные и эффективные решения, позволяя улучшать характеристики конечных устройств.